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PBSS5160DS	文件：141 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorpairinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICand	ETC	ETC
PBSS5160DS	文件：263.34 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160K	文件：124.85 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT346(SC-59A)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hi	ETC	ETC
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PBSS5160PAP	文件：276.04 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS5160PAP	文件：751.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAP-Q	文件：311.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Qualifiedaccordi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS	文件：763.04 Kbytes Page：19 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS-Q	文件：311.67 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QA	文件：264.01 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC

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产品属性

产品编号：
LM5160DNTFBKEVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
包装：
盒
主要用途：
DC/DC，步降
输出和类型：
1，隔离；1，非隔离
电压 - 输出：
8V，12V
电流 - 输出：
2A
电压 - 输入：
18V ~ 32V
稳压器拓扑：
降压
频率 - 开关：
300kHz
板类型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
LM5160
描述：
EVAL BOARD FOR LM5160

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