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MST5160C	文件：283.21 Kbytes Page：7 Pages	0.52INCH(13.2MM)THREEDIGITSTICKDISPLAY	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MXR5160	文件：28.79 Kbytes Page：1 Pages	RFTRANSISTORPNPSILICON	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NSL-5160	文件：28.52 Kbytes Page：1 Pages	TO-18PhotocellsHermeticPackage	SILONEX Luna Innovations Incorporated	SILONEX
NSL-5160	文件：87.34 Kbytes Page：1 Pages	TO-18HermeticPhotocell	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
NTE5160A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	NTE5111AthruNTE5166AZenerDiode,5Watt5Tolerance Features: ●ZenerVoltage:3.3Vto200V ●HighSurgeCurrentCapability	NTE NTE Electronics	NTE
PBSS5160DS	文件：143.46 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160DS	文件：263.34 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160PAP	文件：751.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAP-Q	文件：311.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Qualifiedaccordi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
LM5160ADNTT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
降压
输出配置：
正，可提供隔离
拓扑：
降压，反激
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
4.5V
电压 - 输入（最大值）：
65V
电压 - 输出（最小值/固定）：
2V
电压 - 输出（最大值）：
60V
电流 - 输出：
2A
频率 - 开关：
可调至 1MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
12-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
12-WSON（4x4）
描述：
IC REG BCK FLYBCK ADJ 12WSON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LM5160ADNTT供应商更新时间2025-7-13 11:02:00

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