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IRF7807	文件：382.19 Kbytes Page：8 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Features Applications ControlFETforNotebookProcessorPower SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin NetworkingandTelecommunicationSystems VDS(V)=30V RDS(ON)13.8m(VGS=10V) RDS(ON)18.2m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7807A	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	Chip-SetforDC-DCConverters Description ThesenewdevicesemployadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereducedconductionandswitchinglossesmakethemidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicroproce	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807APBF	文件：203.37 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Chip-SetforDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807ATRPBF	文件：1.05287 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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IRF7807V	文件：159.95 Kbytes Page：8 Pages	NChannelApplicationSpecificMOSFET Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereductionofconductionandswitchinglossesmakesitidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicropr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VPBF	文件：192.3 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereductionofconductionandswitchinglossesmakesitidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicropr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF7807Z	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin Networkinga	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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