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K4E160812D	文件：257.04 Kbytes Page：21 Pages	2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 2,097,152 x 8 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60 文件：257.04 Kbytes 页数：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E160812D-F	文件：300 bytes Page：1 Pages	2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.	Samsung 三星	Samsung
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K4E4E324EE-SGCF	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星

更多K4E160812D供应商更新时间2026-1-18 15:30:00