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K4E160812D

2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 2,097,152 x 8 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60

文件:257.04 Kbytes 页数:21 Pages

Samsung

三星

K4E160812D-F

2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

Samsung

三星

K4E4E164EB-EGCE

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4E4E164EE-SGCE

SAMSUNG/三星
FBGA

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4E4E324EE-SGCF

SAMSUNG/三星
FBGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4E160812D

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG
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更多K4E160812D供应商 更新时间2025-9-26 17:21:00