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K4E660812E	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 页数：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E660812E-JC/L	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 页数：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E660812E-JCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 页数：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
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K4E660812E, K4E640812E	文件：300 bytes Page：1 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out Data Sheet	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K4E660812E
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4E660812E供应商更新时间2026-1-17 9:29:00

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