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K4E661611D-TC60

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-50 or -60) are optional features of this family. All of this family ha

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Samsung

三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星
FBGA178

SAMSUNG/三星

上传:深圳市芯皇电子有限公司

SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4E661611D-TC60

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG
6000
面议
19
TSOP
询价
SAMSUNG/三星
23+
TSOP-50
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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SAN
SSOP
2100
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SAMSUNG
24+
BGA
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SAMSUNG
25+
BGA
2140
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SAMSUNG
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BGA
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SAMSUNG/三星
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BGA
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SAMSUNG/三星
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BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
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SAMSUNG/三星
21+
BGA
10000
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SAMSUNG
22+
BGA
8000
原装正品支持实单
询价
更多K4E661611D-TC60供应商 更新时间2025-9-26 17:21:00