K4E660812E-TCSLASHL技术资料参数批发供应-114ic电子网

首页 >K4E660812E-TCSLASHL>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
K4E660812E-TCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812B	文件：416.71 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812C	文件：416.25 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812E	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812E-JC/L	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812E-JCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4E660812E-TC/L	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	K4E660812E-TI50	SAMSUNG	6000	面议	19	TSOP	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	K4E661611C-TC50	SAMSUNG/三星	23+	TSOP	5000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市昊创电子有限公司	K4E6616120-TC60	SAN		SSOP	2100	优势库存	询价
深圳市一线半导体有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	24+	BGA	1172		询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	24+	BGA	2140	全新原装!现货特价供应	询价
深圳市华来深电子有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	23+	BGA	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	2447	BGA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	21+	BGA	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市胜彬电子有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	22+	BGA	8000	原装正品支持实单	询价

更多K4E660812E-TCSLASHL供应商更新时间2025-7-26 15:48:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号