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K4E661612B-L	文件：885.22 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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详细参数

型号：
K4E661612B-L
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	K4E661612B-TC50		6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	K4E661612C-GL60	SAMSUNG	2017+	BGA	21458	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	K4E661612C-GL60		23+	N/A	36100	正品授权货源可靠	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	K4E661612C-GL60	SAMSUNG/三星	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	K4E661612C-GL60	SAMSUNG/三星	21+	BGA	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多K4E661612B-L供应商更新时间2024-5-22 17:19:00

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