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K4E661612C-45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4E661612C-45

文件：884.02 Kbytes

Page：36 Pages

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION Thisisafamilyof4,194,304x16bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalf

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4E661612C-45
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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更多K4E661612C-45供应商更新时间2025-5-5 15:30:00

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