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K4E661612C-45

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f

文件:884.02 Kbytes 页数:36 Pages

Samsung

三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星
FBGA178

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

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SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4E661612C-45

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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更多K4E661612C-45供应商 更新时间2025-10-11 15:30:00