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K4E170412D

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60

文件:256.75 Kbytes 页数:21 Pages

Samsung

三星

K4E4E164EB-EGCE

BGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4E4E164EE-SGCE

FBGA

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4E4E324EE-SGCF

FBGA

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4E640412E-TC50

QFP

Xilinx

赛灵思

上传:深圳市芯国创科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    K4E170412D

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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SAMSUNG
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更多K4E170412D供应商 更新时间2025-10-31 15:48:00