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K4E640412E-TP45

16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

This is a family of 16,777,216 x 4 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Nor mal or Low power) are optional features of t

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Samsung

三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星
FBGA178

SAMSUNG/三星

上传:深圳市芯皇电子有限公司

SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-178

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCG

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4E640412E-TP45

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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更多K4E640412E-TP45供应商 更新时间2025-9-26 17:21:00