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JANTXV2N5664P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N5664	文件：73.08 Kbytes Page：1 Pages	SILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS SILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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2N5664	文件：140.65 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Highbreakdownvoltage APPLICATIONS ·Highspeedswitchingandlinearamplifier ·High-voltageoperationalamplifiers ·Switchingregulators,converters ·Deflectionstagesandhighfidelityamplifers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5664	文件：118.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERSILICONSWITCHINGTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N5664SMD	文件：17.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNBIPOLARTRANSISTORINACERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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产品属性

产品编号：
JANTXV2N5664P
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/455
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
POWER BJT

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