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JANTXV2N6792	文件：234.11 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-state	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
2N6792	文件：15.49 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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更多JANTXV2N6792供应商更新时间2024-5-3 14:02:00