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JANTXV2N7369	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon High-Power -80V, -10A This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-power, 2N7369 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided as specified in MIL-PRF-19500/621. The device package outline is a three terminal flange mount header configuration, mod The device package outline is a three terminal flange mount header configuration, modified TO-254AA, (T1).;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTXV2N7369	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-254-3，TO-254AA（直引线）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO254AA	Microchip 微芯科技	Microchip
2N7369	文件：59.97 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：59.97 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N7369JAN	文件：55.92 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：55.92 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N7369JANTX	文件：55.92 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：55.92 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

产品属性

产品编号：
JANTXV2N7369
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/621
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 3A，2V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA（直引线）
供应商器件封装：
TO-254AA
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO254AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
君宇国际实业有限公司	JANTXV2N7369	MICROSEMI			638	原装正品	询价
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更多JANTXV2N7369供应商更新时间2025-12-21 15:01:00

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