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JANTXV2N6283

Darlington NPN Silicon Power 80V to 100V, 20A

This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6283 and 2N6284 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/504. The device package outlines are as follows: TO-204AA (similar to TO-3) for all encapsulated device types.;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N6283

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

文件:64.629 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTXV2N6283

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 20A TO204AA

Microchip

微芯科技

2N6283

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件:218.76 Kbytes 页数:4 Pages

boca

博卡

2N6283

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai

文件:214.32 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6283

POWER TRANSISTORS(20A,160W)

文件:211.87 Kbytes 页数:4 Pages

MOSPEC

统懋

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N6283

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/504

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1250 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 20A TO204AA

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更多JANTXV2N6283供应商 更新时间2025-11-19 10:02:00