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IXXQ30N60B3M	文件：194.87 Kbytes Page：6 Pages	Advance Technical Information	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXXQ30N60B3M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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G30N60B3D	文件：228.05 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGTG30N60B3D	文件：228.05 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGTG30N60B3D	文件：214.44 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT 60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT withAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXXH30N60B3	文件：223.88 Kbytes Page：6 Pages	XPTTM600VIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXXQ30N60B3M
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX3™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，24A
开关能量：
550µJ（开），800µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/150ns
测试条件：
400V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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