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G30N60B3中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G30N60B3

功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

文件大小

221.78 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 20:00:00

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G30N60B3规格书详情

The HGTG30N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

• 60A, 600V, TC = 25°C

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

产品属性

  • 型号:

    G30N60B3

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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