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IXXQ30N60B3M分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXXQ30N60B3M |
| 参数属性 | IXXQ30N60B3M 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT |
| 功能描述 | Advance Technical Information |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
194.87 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | IXYS Corporation |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-12 11:06:00 |
| 人工找货 | IXXQ30N60B3M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXXQ30N60B3M规格书详情
IXXQ30N60B3M属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXXQ30N60B3M晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXXQ30N60B3M
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
XPT™, GenX3™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，24A
- 开关能量：
550µJ（开），800µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/150ns
- 测试条件：
400V，24A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
TO-3P |
450 |
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
ISOPLUS247 |
25000 |
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IXYS |
25+ |
TO-3P-3 SC-65-3 |
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IXYS/LITTELFUSE |
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TO-247 |
15800 |
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询价 | ||
IXYS |
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询价 |
