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IXTP180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N055T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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NP180N055TUJ	文件：217.83 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：270.42 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：111.71 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
IXTP180N055T
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
180A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 1mA
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220-3
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB

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