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IXTP180N055T分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXTP180N055T |
| 参数属性 | IXTP180N055T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB |
| 功能描述 | Trench Gate Power MOSFET |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
117.16 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS Corporation |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-3 18:29:00 |
| 人工找货 | IXTP180N055T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXTP180N055T规格书详情
IXTP180N055T属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由IXYS Corporation制造生产的IXTP180N055T晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
更多- 产品编号：
IXTP180N055T
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
180A（Tc）
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 1mA
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1922+ |
TO-220 |
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TO-220 |
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IXYS |
22+ |
TO2203 |
9000 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
90 |
询价 |
