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IXTP2R4N50P

PolarHVTM Power MOSFET

文件:95.77 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP2R4N50P

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:294.82 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTP2R4N50P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(ON)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXTY2R4N50P

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:307.53 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTY2R4N50P

PolarHVTM Power MOSFET

文件:95.77 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    3.75

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    2.4

  • Gate Charge (nC):

    6.1

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    2.25

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-220

  • Typical Reverse Recovery Time (ns):

    400

  • Power Dissipation (W):

    55

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

  • Replaced By Part Number:

    IXTP2N65X2

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IXYS
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TO-252(DPAK)
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更多IXTP2R4N50P供应商 更新时间2026-1-29 11:04:00