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CED11P20	文件：679.92 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU11P20	文件：413.7 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36Ω@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

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CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

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详细参数

型号：
IXTP11P20
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220

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