IXTA1N100资料datasheet下载批发供应第2页-114ic电子网

首页 >IXTA1N100>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IXTY1N100P	文件：153.86 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MSAFA1N100D	文件：78.02 Kbytes Page：3 Pages	FastMOSFETDieforImplantableCardioDefibrillatorApplications DESCRIPTION TheMM196isaMulti-ChipModule,MCM,incorporating6independentMOSFETdieintoaconvenientBGApackage.ThisdeviceisalsoavailableasdiscreteindividualpackagedPowermite3,seeMicrosemidatasheetUPF1N100.Thisdeviceisalsoavailableasbaredie,seeMicrosemidatasheet	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFA1N100D	文件：225.38 Kbytes Page：3 Pages	FastMOSFETDieforImplantableCardioDefibrillatorApplications	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTB1N100E	文件：256.47 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTS TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM1N100	文件：289.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100	文件：272.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100E	文件：203.66 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP1N100E	文件：216.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP1N100E	文件：396.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
OM1N100SA	文件：44.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
IXTA1N100
功能描述：
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXTA1N100	IXYS	24+	TO-263	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华来深电子有限公司	IXTA1N100	IXYS	23+	TO-263-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IXTA1N100	AME	23+	TO-252	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	IXTA1N100	IXYS	1809+	TO-263	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IXTA1N100	IXYS/艾赛斯	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXTA1N100	IXYS/艾赛斯	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价

更多IXTA1N100供应商更新时间2025-7-22 15:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号