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IXTY1N100P	文件：153.86 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MSAFA1N100D	文件：78.02 Kbytes Page：3 Pages	FastMOSFETDieforImplantableCardioDefibrillatorApplications DESCRIPTION TheMM196isaMulti-ChipModule,MCM,incorporating6independentMOSFETdieintoaconvenientBGApackage.ThisdeviceisalsoavailableasdiscreteindividualpackagedPowermite3,seeMicrosemidatasheetUPF1N100.Thisdeviceisalsoavailableasbaredie,seeMicrosemidatasheet	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFA1N100D	文件：225.38 Kbytes Page：3 Pages	FastMOSFETDieforImplantableCardioDefibrillatorApplications	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTB1N100E	文件：256.47 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTS TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM1N100	文件：289.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100	文件：272.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100E	文件：203.66 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP1N100E	文件：216.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP1N100E	文件：396.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
OM1N100SA	文件：44.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
IXTA1N100
功能描述：
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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