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MSAFA1N100D	文件：78.02 Kbytes Page：3 Pages	Fast MOSFET Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications DESCRIPTION TheMM196isaMulti-ChipModule,MCM,incorporating6independentMOSFETdieintoaconvenientBGApackage.ThisdeviceisalsoavailableasdiscreteindividualpackagedPowermite3,seeMicrosemidatasheetUPF1N100.Thisdeviceisalsoavailableasbaredie,seeMicrosemidatasheet	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFA1N100D	文件：225.38 Kbytes Page：3 Pages	Fast MOSFET Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFA1N100D_01	文件：225.38 Kbytes Page：3 Pages	Fast MOSFET Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTB1N100E	文件：256.47 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTS TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM1N100	文件：289.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100	文件：272.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100E	文件：396.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N100E	文件：216.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP1N100E	文件：203.66 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
OM1N100SA	文件：44.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
MSAFA1N100D
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
MSAFA1N100D - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MSAFX10N90A	-	23+	NA	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多MSAFA1N100D供应商更新时间2025-6-13 16:04:00

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