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MSAGA11F120D

Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications

DESCRIPTION: ·N-ChannelenhancementmodehighdensityIGBTdie ·Passivation:Polyimide,20um,overSiliconNitride,.8um ·EmitterMetallization:Al/1Siforaluminumwirebonding,3.2umtypical. ·Collector/GateMetallization:Ti–Ni(1um)–Ag(0.2um)forsoftsolderattach FEATURES:

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

详细参数

  • 型号:

    MSAGA11F120D

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    MSAGA11F120D - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MSAGA11F120D供应商 更新时间2024-5-25 11:10:00