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MSAGA11F120D	文件：221.23 Kbytes Page：3 Pages	Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications DESCRIPTION: · N-Channel enhancement mode high density IGBT die · Passivation: Polyimide, 20 um, over Silicon Nitride, .8um · Emitter Metallization: Al/1Si for aluminum wire bonding, 3.2 um typical. · Collector/Gate Metallization: Ti – Ni (1 um) – Ag (0.2 um) for soft solder attach FEATURES: 文件：221.23 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
MSAGA11F120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications	Microchip 微芯科技	Microchip
MSASU31LAB7475KTNA01	文件：0 bytes Page：0 Pages	Taiyo Yuden/太诱 1206	Taiyo Yuden/太诱上传：深圳市锐隆电子有限公司	Taiyo Yuden/太诱
MSC035SMA070B4	文件：0 bytes Page：0 Pages	microchip TO-247	Microchip 微芯科技上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	Microchip
MSC035SMA170B4	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICROCHIP TO-247-4	Microchip 微芯科技上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	Microchip

更多MSAGA11F120D供应商更新时间2025-10-12 11:10:00