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MSC035SMA170B4	文件：367.09 Kbytes Page：4 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·High Speed Switching with Low Capacitances ·Avalanche Ruggedness APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·Motor Drives 文件：367.09 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MSC035SMA170B4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC035SMA170B4	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICROCHIP TO-247-4	Microchip 微芯科技上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	Microchip
MSC1202Y2RHHT	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI	TI 德州仪器上传：深圳市华高宇电子有限公司	TI
MSC1210Y5PAGRG4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI TQFP64	TI 德州仪器上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	TI

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
36 UCS 3x3
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
1700
On-State Resistance (milliohms) (min)：
0
On-State Resistance (milliohms) (typ)：
35
On-State Resistance (milliohms) (max)：
45
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
48
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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