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MSC035SMA170B4规格书详情
描述 Description
Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V ROHS
技术参数
- 制造商编号
：MSC035SMA170B4
- 生产厂家
：Microchip
- package_carrier
：Tube
- package_name
：36 UCS 3x3
- Reverse Breakdown Voltage (min)
：0
- Reverse Breakdown Voltage (typ)
：0
- Reverse Breakdown Voltage (max)
：1700
- On-State Resistance (milliohms) (min)
：0
- On-State Resistance (milliohms) (typ)
：35
- On-State Resistance (milliohms) (max)
：45
- Drain Current (dc) (min)
：0
- Drain Current (dc) (typ)
：0
- Drain Current (dc) (max)
：48
- Junction Temperature (℃) (min)
：-55
- Junction Temperature (℃) (typ)
：0
- Junction Temperature (℃) (max)
：175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip(微芯) |
2511 |
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MICROCHIP(美国微芯) |
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TO-247-4 |
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Microchip(微芯) |
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Microchip Technology |
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