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MSC030SDA120中文资料1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs)数据手册Microchip规格书

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厂商型号

MSC030SDA120

参数属性

MSC030SDA120 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SIC SBD 1200 V 30 A TO-247

功能描述

1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs)
SIC SBD 1200 V 30 A TO-247

封装外壳

TO-247-3

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:10:00

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MSC030SDA120规格书详情

描述 Description

MSC030SDA120 is part of our newest family of SiC Schottky Barrier Diode (SBD) devices. Microchip's SiC solutions focus on high performance helping to maximize system efficiency and minimize system weight and size. Microchip's proven SiC reliability also ensures no performance degradation over the life of the end equipment.

特性 Features

AEC-Q101 Qualified
No reverse recovery
Low forward voltage
Low leakage current
Avalanche-energy rated
RoHS compliant

简介

MSC030SDA120属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的MSC030SDA120二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

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  • 产品编号:

    MSC030SDA120BCT

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    65A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    141pF @ 400V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC SBD 1200 V 30 A TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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