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IXTA152N085T7

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;

Littelfuse

力特

IXTA152N085T7

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:202.53 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N120

IXYS/艾赛斯
TO-263

IXYS/艾赛斯

IXTA76N25TTRL

IXYS
TO-263

IXYS

艾赛斯

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IXTA96P085T

IXYS/艾赛斯
TO-263

IXYS/艾赛斯

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更多IXTA152N085T7供应商 更新时间2025-10-9 15:30:00