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IXTA160N085T	文件：141.94 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET 文件：141.94 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA160N085T	文件：299.97 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA160N085T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP160N085T	文件：295.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多IXTA160N085T供应商更新时间2025-10-4 10:31:00