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IXSR40N60BD1	文件：39.27 Kbytes Page：2 Pages	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside) ShortCircuitSOACapability Features ●DCBIsolatedmountingtab ●MeetsTO-247ADpackageOutline ●Highcurrenthandlingcapability ●LatestgenerationHDMOSTMprocess ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandreson	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSR40N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 170W ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR40N60BD1	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX40N60BD1	文件：99.01 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBTwithDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSK40N60BD1	文件：50.42 Kbytes Page：2 Pages	IGBTwithDiodePLUS247TMpackageShortCircuitSOACapability ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •MediumfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses •MOSGat	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSX-40N60BD1	文件：50.42 Kbytes Page：2 Pages	IGBTwithDiodePLUS247TMpackageShortCircuitSOACapability ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •MediumfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses •MOSGat	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXSR40N60BD1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，40A
开关能量：
1.8mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/110ns
测试条件：
480V，40A，2.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 600V 70A 170W ISOPLUS247

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