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详细参数
- 型号：
IRLW640ATM
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMG |
05+ |
原厂原装 |
3251 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
SMG |
23+ |
D2PAK |
9600 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
F |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
VB |
23+ |
TO-252 |
7000 |
询价 |
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更新时间2026-1-26 17:41:00
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