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IRLZ24S	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S	文件：176.8 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ24S	文件：314.12 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dv/dt rating;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S_V02	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S/ IRLZ24L/ SiHLZ24S/ SiHLZ24L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; ·Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition\n·Surface Mount\n·Available in Tape and Reel\n;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S/IRLZ24L/SiHLZ24S/SiHLZ24L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S_V01	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24STRL	文件：176.8 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRLZ24S
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLZ24S供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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