选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 263 |
161145 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,IR独立经销商,含增值税价格优势! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4922 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IR原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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D2PAK |
68900 |
VB |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
7143 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501512 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRLZ24S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLZ24S图片
IRLZ24S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLZ24S功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ24SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ24STRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24STRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件