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IRLZ44ZS	文件：304.29 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：304.29 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRLZ44ZS	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：362.09 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRLZ44ZS	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLZ44ZSPBF	文件：362.09 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A) Description Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：362.09 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRLZ44ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRLZ44ZSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
13.5 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
22.5 mΩ
ID @25°C max：
51 A
QG typ @4.5V：
24 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
3 V
VGS(th)：
2 V
Technology：
IR MOSFET™

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