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IRLZ34S	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount • 175 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are Ro 文件：461.62 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34S	文件：363.43 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：363.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ34S_V01	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount • 175 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are Ro 文件：461.62 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34SPBF	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：461.62 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLZ34S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Advanced process technology\nSurface-mount\n175 °C operating temperature;	Vishay 威世	Vishay
IRLZ34S/IRLZ34L/SiHLZ34S/SiHLZ34L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
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详细参数

型号：
IRLZ34S
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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