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IRLZ34S	文件：363.43 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ34S	文件：347.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichtingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsareknownfor,providesthedesignerwitha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ34S	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare Ro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ34S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Advanced process technology\nSurface-mount\n175 °C operating temperature;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ34S_V01	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare Ro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ34S/IRLZ34L/SiHLZ34S/SiHLZ34L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLZ34SPBF	文件：461.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRLZ34S
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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