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IRLZ34L	文件：347.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swichting speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are known for, provides the designer with a 文件：347.15 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ34L	文件：363.43 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：363.43 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ34LPBF	文件：347.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swichting speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are known for, provides the designer with a 文件：347.15 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ34L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Advanced process technology\nSurface-mount\n175 °C operating temperature;	Vishay 威世科技	Vishay
IRLZ34L	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRLZ34L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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