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IRLW530A

ADVANCED POWER MOSFET

BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.12Ω ID = 14 A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ 175°C Operating Temperature ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V ♦ Lower RDS(ON):

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FAIRCHILD

仙童半导体

IRLW530A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:361.87 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLWI530A

Advanced Power MOSFET

文件:273.26 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSM530

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

文件:673.09 Kbytes 页数:5 Pages

KERSEMI

KSMB530

Green device available.

文件:665.26 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

详细参数

  • 型号:

    IRLW530A

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    ADVANCED POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
24+
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仙童
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更多IRLW530A供应商 更新时间2026-1-25 19:10:00