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IRLZ24N	文件：178 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：178 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLZ24N	文件：338.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLZ24NL	文件：180.51 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：180.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NLPBF	文件：301.3 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：301.3 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NS	文件：180.51 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：180.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSPBF	文件：301.3 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：301.3 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NL	文件：202.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：202.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NPBF	文件：771.59 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：771.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NPBF	文件：771.59 Kbytes Page：9 Pages	Logic-Level Gate Drive, Advanced Process Technology 文件：771.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NPBF	文件：1.35702 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.35702 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRLZ24NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
60 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
105 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @4.5V：
10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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