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IRLZ24NLPBF规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRLZ24NS)
● Low-profile through-hole (IRLZ24NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRLZ24NLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-220-3 |
1500 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-220-3 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
30000 |
25+23+ |
TO-220 |
30000 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
26976 |
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询价 | |||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
570 |
询价 | |||
IR |
2022+ |
TO-220 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
