首页>IRLZ24NLPBF>规格书详情
IRLZ24NLPBF中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRLZ24NLPBF规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRLZ24NS)
● Low-profile through-hole (IRLZ24NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRLZ24NLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
30000 |
25+23+ |
TO-220 |
30000 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
570 |
询价 | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
1645+ |
TO220 |
25560 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50只/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 |
