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IRLZ24NS	文件：180.51 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：180.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NS	文件：202.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：202.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSPBF	文件：301.3 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：301.3 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSL	文件：202.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：202.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSPBF	文件：306.89 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：306.89 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSPBF_15	文件：306.89 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：306.89 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSTRL	文件：202.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：202.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRLZ24NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
60 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
105 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @4.5V：
10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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