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IRLZ14S	文件：291.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLZ14S	文件：294.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextermelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14S	文件：396.23 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoHS-compliantand/orpar	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14S	文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14S_V01	文件：396.23 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoHS-compliantand/orpar	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14SL	文件：291.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLZ14SPBF	文件：294.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextermelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14STRRPBFA	文件：294.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextermelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14S_11	文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14SPBF	文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14SPBF	文件：396.23 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14STRLPBFA	文件：396.23 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14STRRPBF	文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLZ14STRRPBFA	文件：396.23 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
IRLZ14S
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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