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IRLL014N	文件：158.5 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：158.5 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014N	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：165.67 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014N	文件：1.03976 Mbytes Page：8 Pages	丝印：LL014N；Package：SOT-223；55V N-Channel MOSFET Benefits VDS (V) =55V ID =2.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.03976 Mbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLL014NPBF	文件：261.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：261.26 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014NTR	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：165.67 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：262.4 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014NTRPBF-TP	文件：1.82994 Mbytes Page：5 Pages	丝印：LL014N；Package：SOT223；‘N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Ros = B5TIQ. @Vis = 10V. Reson = 10070 @Vos = 45V. 1 High dense ce design for extremely low Rosco Rugged and reat. Lead re products acquired 507.223 package. 文件：1.82994 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRLL014NPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：262.4 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014NPBF_15	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：262.4 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：1.80269 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.80269 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRLL014NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
140 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
280 mΩ
ID @25°C max：
2.8 A
QG typ @10V：
9.5 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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