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IRLI640GPBF	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLS640A	文件：258.089 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=9.8A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS640A	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW640A	文件：362.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLWI640A	文件：227.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
JCS640	文件：1.20429 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS640CH-O-C-N-B	文件：1.41136 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS640C-O-C-N-B	文件：1.20429 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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