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IRLWI640A	文件：227.22 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：227.22 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRLWI640A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
JCS640	文件：1.20429 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL MOSFET ID 18.0 A VDSS 200 V Rdson （@Vgs=10V） 0.18Ω Qg 47 nC FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 48pF ) Fast switching 100 avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp balla 文件：1.20429 Mbytes 页数：10 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS640CH-O-C-N-B	文件：1.41136 Mbytes Page：12 Pages	N- CHANNEL MOSFET 文件：1.41136 Mbytes 页数：12 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS640C-O-C-N-B	文件：1.20429 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL MOSFET ID 18.0 A VDSS 200 V Rdson （@Vgs=10V） 0.18Ω Qg 47 nC FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 48pF ) Fast switching 100 avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp balla 文件：1.20429 Mbytes 页数：10 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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