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IRL3102L	文件：98.67 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Process Technology 文件：98.67 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRL3102L	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 20V 61A TO-262	Vishay 威世科技	Vishay
IRL3102PBF	文件：131.31 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost. ● 文件：131.31 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRL3102S	文件：90.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A) Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost. The D2Pak is a s 文件：90.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL3102SPBF	文件：322.7 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost. The D2Pak is a s 文件：322.7 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL3102L
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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