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PBHV9110DA-AU	文件：413.93 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNco	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV9110DH	文件：403.75 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNcomplement:PBHV8110DH	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV9110DH-AU	文件：404.1 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNco	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV9110DW	文件：408.12 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNcomplement:PBHV8110DW	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV9110DW-AU	文件：408.48 Kbytes Page：6 Pages	PNPLowVce(sat)Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNco	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS9110D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS9110D	文件：302.68 Kbytes Page：14 Pages	100V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS9110T	文件：107.4 Kbytes Page：12 Pages	100V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS8110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration APPLICATIONS •Major	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS9110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS9110T	文件：1.32234 Mbytes Page：13 Pages	100V,1APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS8110T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •High	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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