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PBSS9110T	文件：107.4 Kbytes Page：12 Pages	100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PBSS8110T. FEATURES • SOT23 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation APPLICATIONS • Major 文件：107.4 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS9110T	文件：187.44 Kbytes Page：12 Pages	100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PBSS8110T. FEATURES • SOT23 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation APPLICATIONS • Major 文件：187.44 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PBSS9110T	文件：1.32234 Mbytes Page：13 Pages	丝印：U7；Package：SOT23；100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS8110T 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High 文件：1.32234 Mbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS9110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS9110T-Q	文件：243.23 Kbytes Page：12 Pages	丝印：U7；Package：SOT23；100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS8110T 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High 文件：243.23 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS9110T_15	文件：187.44 Kbytes Page：12 Pages	100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：187.44 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS9110T	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.\n NPN complement: PBSS8110T. • SOT23 package\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS9110T-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single bipolar transistors	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS9110T,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 1A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
300
VCEO [max] (V)：
-100
IC [max] (mA)：
-1000
hFE [min]：
150
hFE [max]：
450
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
N

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