PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS9110T |
| 参数属性 | PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
107.4 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-27 18:09:00 |
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PBSS9110T规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS8110T.
FEATURES
• SOT23 package
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
APPLICATIONS
• Major application segments
– Automotive 42 V power
– Telecom infrastructure
– Industrial
• DC-to-DC conversion
• Peripheral drivers
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs).
– Inductive load driver (e.g. relays,
buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号：
PBSS9110T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 100V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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