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PBSS8110X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS8110X
厂商型号

PBSS8110X

参数属性

PBSS8110X 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT89

功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-243AA

文件大小

214.44 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-21 23:00:00

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PBSS8110X规格书详情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS9110X.

Features

■ SOT89 package

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High efficiency leading to less heat generation

Applications

■ Major application segments:

♦ Automotive 42 V power

♦ Telecom infrastructure

♦ Industrial

■ Peripheral driver:

♦ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

♦ Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

■ DC-to-DC converter

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS8110X,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 250mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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